Ⅰ型電容器陶瓷，它的介電常數(shù)一般小于100，電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變而變化，屬超穩(wěn)定、低損耗的電容器介質(zhì)材料，常用于對(duì)穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、超高頻、甚高頻的場(chǎng)合。Ⅱ型電容器陶瓷，它的介電常數(shù)一般大于1000，電氣性能較穩(wěn)定，適用于隔直、耦合、旁路和潔、波電路及對(duì)可靠性要求較高的中、低頻場(chǎng)合。

　　用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。

　　瓷介電容器常用的陶瓷介質(zhì)材料有以下三類：

　?、裥碗娙萜魈沾桑核慕殡姵?shù)一般小于100，電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變而變化，屬超穩(wěn)定、低損耗的電容器介質(zhì)材料，常用于對(duì)穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、超高頻、甚高頻的場(chǎng)合。

　　Ⅱ型電容器陶瓷：它的介電常數(shù)一般大于1000，電氣性能較穩(wěn)定，適用于隔直、耦合、旁路和潔、波電路及對(duì)可靠性要求較高的中、低頻場(chǎng)合。因型電容器陶盟：它具有很高的介電常數(shù)，廣泛應(yīng)用于對(duì)容量穩(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合。

　　以鐵酸頓為主的陶瓷材料為介質(zhì)的電容器被稱為獨(dú)石瓷介電容器，它由多層片狀陶瓷膜疊起來燒結(jié)而成。由于它的每片陶盜膜很薄，因此具有容量大、體積小的特點(diǎn)。

　　瓷介電容器具有以下特點(diǎn)：

　　1、由于電容器的介質(zhì)材料為陶哇，所以耐熱性能良好，不容易老化。

　　2、瓷介電容器能耐酸堿及鹽類的腐蝕，抗腐蝕性好。

　　3、低頻陶瓷材料的介電常數(shù)大，因而低頻瓷介電容器的體積小、容量大。

　　4、絕緣性能好，可制成高壓電容器。

　　5、高頻陶瓷材料的損耗角正切值與頻率的關(guān)系很小，因而在高頻電路可選用高頻監(jiān)介電容器。

　　6、價(jià)格便宜，原材料豐富，適宜大批量生產(chǎn)。

　　7、瓷介電容器的電容量較小，機(jī)械強(qiáng)度較低。