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特征：由于SBD的反向勢壘較薄，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管大。
應用：SBD的結構及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流。

片式三端陶瓷電容器具有優(yōu)良的通流特性,無極性,適合高密度的表面安裝,還有良好的吸收噪音、抑制浪涌脈沖的作用。

我們的MOS管均為東微半導體出產(chǎn),產(chǎn)品經(jīng)過特殊封裝設計,具有高可靠性。特別在防潮性能上經(jīng)過優(yōu)化,可適用于各種戶外電源如充電樁、通訊電源、戶外廣告屏等需要在戶外嚴苛環(huán)...

通用型Y5V片容屬于Ⅱ類低頻電容器，其電容量受溫度、電壓、時間變化大

多層片式壓敏電阻器是一種浪涌電壓抑制器.它是采用先進的疊層片式化技術制造的半導體陶瓷元件,它能為保護元件(電路)提供強有力的保護,同時具有優(yōu)良的浪涌能量吸收能力及內...

大電流磁珠在同樣尺寸下比插裝磁珠可產(chǎn)生較高的阻抗值，與傳統(tǒng)的磁珠不統(tǒng)，片式磁珠無引線，只要簡單的安裝到PCB板上就可抑制EMI和RFI，此產(chǎn)品都符合EIA標準，可以利用SM...