表面層陶瓷電容器采用在鈦酸鋇等半導(dǎo)體陶瓷表面形成的薄絕緣層作為介質(zhì)層，半導(dǎo)體陶瓷可視為介質(zhì)的串聯(lián)電路。利用鐵電陶瓷的高介電常數(shù)，有效地減小了介電層的厚度。這是制備微型陶瓷電容器的有效方法。在晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面包覆適量的金屬氧化物。在適當(dāng)?shù)臏囟群脱趸瘲l件下熱處理后，涂層氧化物與鈦酸鋇形成低共晶相，沿開(kāi)孔和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷中，在晶界形成一層薄的固溶體絕緣層。

表面層陶瓷電容器采用在鈦酸鋇等半導(dǎo)體陶瓷表面形成的薄絕緣層作為介質(zhì)層，半導(dǎo)體陶瓷可視為介質(zhì)的串聯(lián)電路。表面層陶瓷電容器的絕緣表面層厚度根據(jù)形成方式和條件在0.01到100之間波動(dòng)μ M。利用鐵電陶瓷的高介電常數(shù)，有效地減小了介電層的厚度。這是制備微型陶瓷電容器的有效方法。在晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面包覆適量的金屬氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）。在適當(dāng)?shù)臏囟群脱趸瘲l件下熱處理后，涂層氧化物與鈦酸鋇形成低共晶相，沿開(kāi)孔和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷中，在晶界形成一層薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層的電阻率非常高（高達(dá)1012-1013）Ω· 雖然陶瓷顆粒仍然是半導(dǎo)體，但整個(gè)陶瓷體的表觀介電常數(shù)高達(dá)2× 104至8× 104.用這種陶瓷制成的電容器被稱(chēng)為邊界層陶瓷電容器（BL電容器），隨著電子工業(yè)的迅速發(fā)展，迫切需要研制高擊穿電壓、小損耗、小體積、高可靠性的高壓陶瓷電容器。近20年來(lái)，國(guó)內(nèi)外研制的高壓陶瓷電容器已廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、激光電源、錄像機(jī)、彩電、電子顯微鏡、復(fù)印機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、航空航天、導(dǎo)彈、航海等領(lǐng)域。