關于瓷片電容電磁兼容設計的誤區(qū)

  瓷片電容電磁兼容的問題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下，個別問題(電壓跌落與瞬時中斷等)除外。

  高頻思維，總而言之，就是器件的特性、電路的特性，在高頻情況下和常規(guī)中低頻狀態(tài)下是不一樣的，如果仍然按照普通的控制思維來判斷分析，則會走入設計的誤區(qū)。

  瓷片電容在中低頻或直流情況下，就是一個儲能組件，只表現為一個電容的特性，但在高頻情況下，它就不僅僅是個電容了，它有一個理想電容的特性，有漏電流(在高頻等效電路上表現為R)，有引線電感，還在導致電壓脈沖波動情況下發(fā)熱的ESR(等效串聯電阻)，瓷片電容能幫我們設計師得出很多有益的設計思路。

  第一、按照常規(guī)思路，1/2πfc是電容的容抗，應該是頻率越高，容抗越小，濾波效果越好，即越高頻的雜波越容易被泄放掉，但事實并非如此，因為引線電感的存在，一支電容僅僅在其1/2πfc=2πfL等式成立的時候，才是整體阻抗最小的時候，濾波效果才最好，頻率高了低了都會濾波效果下降，由此就可以分析出瓷片電容結論。

  為什么在IC的VCC端都會加兩支電容，一支電解的，一支瓷片的，并且容值一般相差100倍以上多一點。就是兩支不同的電容的諧振頻率點岔開了一段距離，既利于對稍高頻的濾波，也利于對較低頻的濾波。

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