封裝型硅膠DC/DC模塊電源的電阻硫化是由于周?chē)諝庵写嬖诹蚧?，而硅膠對(duì)硫化物有吸附作用。由于在電阻上澆注了硅膠，硅膠中的硫化物很容易通過(guò)電阻端電極與二次保護(hù)涂層之間的界面孔隙或間隙進(jìn)入電阻表面電極，導(dǎo)致表面電極材料中的銀硫化并形成低導(dǎo)電性硫化銀，這導(dǎo)致電阻的電阻值增加，直到開(kāi)路。
封裝型硅膠DC/DC模塊電源的電阻硫化是由于周?chē)諝庵写嬖诹蚧?，而硅膠對(duì)硫化物有吸附作用。同時(shí)，在電阻端電極與二次保護(hù)層的連接處，無(wú)論是電鍍過(guò)程中存在的孔隙或縫隙，還是焊 接過(guò)程異常造成的縫隙，空氣中的硫化物被硅膠吸收，硅膠形成微孔結(jié)構(gòu)，硅膠的比表面積為500-600m2/g，因此硅膠中硫化物的濃度不斷增加。由于在電阻上澆注了硅膠，硅膠中的硫化物很容易通過(guò)電阻端電極與二次保護(hù)涂層之間的界面孔隙或間隙進(jìn)入電阻表面電極，導(dǎo)致表面電極材料中的銀硫化并形成低導(dǎo)電性硫化銀，這導(dǎo)致電阻的電阻值增加，直到開(kāi)路
抗硫化電阻，以避免電阻硫化，好的方法是使用抗硫化（或全膜工藝電阻，或插件電阻）

風(fēng)華高科技抗硫化擴(kuò)展了二次保護(hù)涂層的設(shè)計(jì)尺寸，并允許底部電極被二次保護(hù)覆蓋到一定尺寸。在電鍍中，鎳層和錫層很容易被二次保護(hù)層覆蓋。這樣，相對(duì)較弱的二次保護(hù)涂層的邊緣不直接暴露在空氣環(huán)境中，提高了產(chǎn)品的抗硫化能力，設(shè)計(jì)思路是從封裝和覆蓋的角度出發(fā)。Rohm的抗硫化設(shè)計(jì)，保護(hù)層采用碳導(dǎo)電樹(shù)脂膠粘劑，覆蓋在表面電極上，并延伸到第 二保護(hù)層.
另一抗硫化設(shè)計(jì)是從材料的角度考慮，如提高表面電極Ag/PD漿料中鈀的含量，將鈀（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）的含量從通常的0.5%提高到10%以上。由于礦漿中鈀含量的增加，鈀的穩(wěn)定性提高了抗硫化性能。實(shí)驗(yàn)表明，該方法是有 效的。