瓷介電容器結構以陶瓷材料為介質，在陶瓷表面涂上金屬(銀)膜，高溫燒結后作為電極制成。瓷介電容器分為1類電介質(NPO.CCG)、2類電介質(X7R.2X1)和3類電介質(Y5V.2F4)。
特點1類瓷介電容器具有溫度系數(shù)小、穩(wěn)定性高、損耗低、耐壓高的優(yōu)點。最大容量不超過1000pf，常用的系列有CC1.CC2.CC18A.CC11.CCG。三種瓷介電容器具有介電系數(shù)高、容量大(最大可達0.47μF)、體積小、損耗和絕緣性能差于一類的特點。
瓷介電容器結構以陶瓷材料為介質，在陶瓷表面涂上金屬(銀)膜，高溫燒結后作為電極制成。瓷介電容器分為1類電介質、2類電介質和3類電介質。特點1類瓷介電容器具有溫度系數(shù)小、穩(wěn)定性高、損耗低、耐壓高的優(yōu)點。三種瓷介電容器具有介電系數(shù)高、容量大、體積小、損耗和絕緣性能差于一類的特點。一般用于中高頻電路。常用型號有CB10.CB11.CB14~16(精密型).CB24.CB25.CB80(高壓型).CB40等系列。
1類電容主要用于高頻電路。2.3類廣泛應用于中低頻電路中，用于隔直、耦合、旁路、濾波等電容器。常用的有三個系列:CT1.CT2.CT3。
結構聚酯電容器是以極性聚酯薄膜為介質，具有正溫度系數(shù)(即溫度升高時電容量增大)的無極性電容器。優(yōu)點是耐高溫、耐高壓、耐潮濕、價格低廉。一般用于中低頻電路。CL11.CL21等常用型號。
聚苯乙烯電容器(CB)有兩種結構:箔式和金屬化。其優(yōu)點是箔式絕緣電阻大，介質損耗小，容量穩(wěn)定，精度高，但體積大，耐熱性差；金屬化防潮性和穩(wěn)定性好于箔式絕緣電阻低，高頻特性差。
一般用于中高頻電路。常用型號有CB10.CB11(非密封箔).CB14~16(精密型).CB24.CB25(非密封金屬化).CB80(高壓型).CB40(密封金屬化)等系列。
